栅氧化层_关于栅氧化层概略

2023-06-28 04:11:21    来源:互联网


(资料图片)

1、为了有效地抑制短沟道效应,并保持良好的亚阈值斜率,栅氧化层厚度要和沟道长度以同样的比例下降。对于0.1μm尺度的CMOS器件,栅氧化层厚度需达到3nm左右。对于超薄氧化层而言,最大的问题是会发生量子隧道穿通效应。栅氧化层的隧穿电流将随氧化层厚度的减少量指数增长,栅偏压1.5V时,氧化层厚度若从3.6nm降到1.5nm,栅电流密度大约会增长10个数量级。

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